新品推薦 | 更快更強，青銅劍技術發布新一代EconoDUAL?3封裝IGBT驅動器

隨著新能源發電、新能源汽車等行業的蓬勃發展，市場對功率半導體器件提出了更高的要求。針對EconoDUAL^TM3封裝模塊的特點，青銅劍技術推出了第二代EconoDUAL^TM3封裝高性能即插即用驅動器2QP0225Txx-C。

圖1 2QP0225Txx-C實物圖

第二代EconoDUAL^TM3封裝即插即用驅動器

2QP0225Txx-C是基于青銅劍技術自主研發的第二代ASIC芯片設計的雙通道、緊湊型驅動器，可應用在中功率、中壓、高可靠性領域，適用于 1700V 及以下電壓的EconDUAL^TM3封裝 IGBT 、SiC MOSFET模塊。其即插即用的特點使得驅動板可直接焊接在EconoDUAL^TM3封裝模塊上，無需轉接處理。

產品優勢

單通道驅動功率高達 2W

峰值電流高達 ±25A

開關頻率高達200kHz

自適應的軟關斷功能

兼容EconoDUALTM3封裝SiC MOSFET

和上一代產品P2P兼容

單通道驅動功率高達 2W

2QP0225Txx-C驅動器將單通道功率提升至2W，以滿足新一代IGBT大門極電荷的功率需求。如下圖所示，在滿功率情況下，溫升小于35K。

圖2 單通道2W滿載運行溫升圖（環溫25℃）

峰值電流高達 ±25A

驅動器峰值電流提升至25A，滿足新一代IGBT模塊小門極電阻、高峰值電流的要求。如下圖所示，峰值電流可達25A以上。

圖3 驅動峰值電流（Rg=0Ω）

開關頻率高達200kHz

驅動器最高開關頻率提高至200kHz，滿足SiC MOSFET快速開關的要求。

圖4 最大200kHz工作頻率

自適應的軟關斷功能

驅動器集成了軟關斷保護功能，可有效抑制短路關斷時產生的尖峰電壓。驅動器內部門極閉環控制，軟關斷波形智能調節，當進入退飽和保護時，門極會按照設定下降曲線進行2us時長的軟關斷，無需再額外增加和調節軟關斷電阻，極大的方便了客戶端調試過程。

圖5 驅動自帶2us軟關斷保護功能

兼容EconoDUAL^TM3封裝SiC MOSFET

該驅動器在兼容設計中集成了米勒鉗位功能，可有效防止門極誤開通

支持門極開關電壓定制，滿足不同碳化硅模塊的使用需求

短路保護響應時間在1us~10us內可調，滿足不同功率器件的短路耐受時間要求

附：EconoDUAL^TM3封裝的第七代IGBT模塊介紹

第七代IGBT模塊優化了爬電距離以滿足1500V光伏需求，過溫運行溫度提升到175℃，功率密度提升了30%，額定電流由600A提高至750A甚至900A！

圖6 英飛凌FF900R12ME7模塊

和老一代產品相比，第七代IGBT模塊極限開關門極電荷量更大，內部門極電阻更小，要求驅動器可提供更大的功率和更高的峰值電流。